Das FEI Dual Beam SEM/Ga-FIB Mikroskop kombiniert die Vorteile eines ultrahochauflösenden Elektronenmikroskops und eines Ionenmikroskops. Es kann daher für die hochauflösende Bildgebung und als Werkzeug für die Materialbearbeitung verwendet werden. Die Energie des fokussierten Gallium-Ionenstrahls ermöglicht es, das Präparationsmaterial selektiv zu entfernen und auf der Nanoskala zu modifizieren. Dies steht im Zusammenhang mit der Möglichkeit, Querschnitte, 3D-Rekonstruktionen und TEM-Proben vorzubereiten, sowie mit Prototyping-Prozessen im Nano- und Mikrobereich. Verfügbare Detektoren: ETD, TLD, CBS und EDS.
PARAMETER
Lande-Spannungsbereich:
- Elektronenstrahl: 350 V – 30 kV (50 V – 30 kV mit Strahlverzögerungsmodus),
- Ionenstrahl: 500 V – 30 kV.
Auflösung:
- Elektronenstrahl: 1 nm,*
- Ionenstrahl: 2,5 nm.*
Maximaler Stichprobenumfang:
- Durchmesser: 150 mm Durchmesser bei voller Drehung (Montage größerer Präparate möglich*),
- Höhe: 100 mm,
- Gewicht: 500 g (einschließlich des Probenhalters).
DETEKTE
- ETD (sekundäre Elektronen)
- TLD (sekundäre Elektronen)
- ICE (sekundäre Ionen)
- CBS (rückgestreute Elektronen)