Abscheidung von hochisolierenden Schichten durch Magnetronsputtern
Einige Materialien wie Aluminiumoxid (Al 2O3 ), Siliziumdioxid (SiO2) und Siliziumnitrid (Si3N4) weisen hervorragende elektrische Isolationseigenschaften mit einem hohen spezifischen Widerstand und einer hohen Durchschlagfestigkeit von einigen MV/cm (Megavolt pro Zentimeter) auf.
Am Fraunhofer FEP haben wir reaktive Magnetron-Sputterverfahren entwickelt, um solche isolierenden Schichten mit hohen Abscheideraten von 2 – 4 nm/s abzuscheiden. Dies ermöglicht die wirtschaftliche Abscheidung von Schichten von einigen hundert Nanometern bis zu mehreren (zehn) Mikrometern Dicke, mit Abbruchspannungen von mehr als 2000 V. Dies wurde auf sehr unterschiedlichen Substraten, von Siliziumwafern bis zu gehärtetem Stahl oder rauen Cu-Substraten, nachgewiesen. Das reaktive Magnetron-Sputterverfahren verwendet Metalltargets wie Silizium oder Aluminium in einer gemischten Argon-Reaktionsgasatmosphäre.
Am Fraunhofer FEP stehen verschiedene Beschichtungsanlagen zur Verfügung, die mit zwei Arten von Magnetronquellen für die Schichtabscheidung ausgestattet sind: eine Doppelring-Magnetronquelle(DRM 400) für die stationäre Beschichtung von Substraten bis zu Ø 200 mm und ein Rechteck-Magnetron (RM 800) für die dynamische Beschichtung größerer Substrate bis zu 650 mm × 750 mm. Die zu beschichtenden Substrate können flache oder 3D-Teile sein.
Unser Angebot
Komplette Projektkette von Machbarkeitsstudien und Technologieentwicklung bis zur Übergabe von Hardware und Technologie an den Kunden.
